新建造工艺将分子无损嵌进电子器件

科技日报记者 刘霞

美国麻省理工学院科学家斥地出一种可扩大年夜大年夜大年夜大年夜的损嵌建造技能 ，能将邃密的进电分子材料无损地嵌进芯片上的电子器件内 。他们独霸厚度不到一纳米的器件分子层
，建造出上千个器件 ，新建空踏完成了这项新技能的造工晃荡性与可扩大年夜大年夜大年夜大年夜性 。这一编制拓展了标准半导体工艺整合分子的分无身手，有看建造出筹划全新
、损嵌下场稀少的进电器件 。相干论文宣布于新一期《天然·纳米技能》杂志。器件

分子是新建建筑下一代器件的最小单位之一 ，其筹划和化学构成可被精准筹划。造工这意味着，分无在坦荡宽大年夜大年夜奔放宽除夜广大年夜奔放的筹划空间中，它们的功用可以自如调控。一旦被集成进器件架构，这些分子便能下场更小 、更快、适应性更强的下一代电子与筹算平台，和更高功用的光子器件和新兴量子技能
。

但要构建多么一个下场琐细，分子这一构建单位需与其他器件层集成，个中关头一步是让分子与金属外不雅邻接 。可是 ，传统芯片建造所需的严苛化学气候和工艺流程，经常会毁伤这些亏弱安康的分子材料，降低器件的刚毅性与功用 。

为兼并这一艰苦，团队斥地出一种解耦的两步法
。他们先以传统工艺预制出器件骨架 ，再引进分子，并借助纳米标准的外不雅力，对器件举办机械重塑，让分子在不被毁伤的气候下自组装为幻想下场器件
。

在演示中 ，团队先建造了一个支架 ，两个金属电极之间留有切确设定的藐小间隙。随后，他们在电极外不雅聚积分子层
。末尾 ，借助纳米级的力，将顶部电极轻柔地拉向分子，以无损的编制构成幻想下场器件。这一过程创作创作创造了与分子自对准且毫无毁伤的电干戈。

借助这项技能，团队建造出一千多个分子层厚度窘蹙一纳米的器件 。即便在如斯藐小的标准下，所制芯片的工作器件良率平均高达96%。这些刚毅的器件还遭受住了数万次电轮回的考验 ，未展示任何退步迹象  。这项多功用技能准予分子器件在电路和琐细层面举办集成，鞭挞了该局限从对孤单器件的研究迈进更坦荡宽大年夜大年夜奔放宽除夜广大年夜奔放的琐细时代。